9888拉斯维加斯(在线VIP认证)官方网址-App Store

首页 >> 光伏产业 >>产品中心 >>详情
P 型掺硼单晶方棒
下载资料

品名

P 型掺硼单晶方棒规格书

Properties 內容

Parameters 参数

Inspection Method

测试方法

1、 Electric & Chemical 电性能及化学性能

Dopant 掺杂剂

Boron

-

Dislocation Density 位错密度

≦500/cm2

择优化学腐蚀法

Carbon Concentration 碳含量

Max 5.0E16 atoms/cm3

傅里叶变换红外光谱仪

Oxygen Concentration 氧含量

Max 8.5E17 atoms/cm3

傅里叶变换红外光谱仪

Resistivity 电阻率

0.5 - 1.5 ?.cm

四探针电阻率测试仪

Conductivity type 导电类型

P 型

P/N 型测试仪

Crystal Orientation 晶向

(100)±3°

ASTM F26

Crystal imperfection 晶体缺陷

孔洞、应力、孪晶、黑心、同心圆、黑角等不允许

硅片分选机/PL 测试仪

Life time 少子寿命

≧50μs

Sinton BCT-400

2、 Geometry & Surface 尺寸和外观

项目

G1

M6

M10

G1

Length of wafer

硅片边长

158.75±0.25

166±0.25

182±0.25

游标卡尺

Diameter

直径

223±0.25

223±0.25

247±0.25

游标卡尺

Arc length

圆弧长度

1.5±0.5

12.0±0.5

10.6±0.5

角度尺

Chord length projection

弦长投影

1.07±0.5

8.55±0.5

7.51±0.45

游标卡尺

Chamfer difference

倒角差

≤0.4mm

游标卡尺

Shape wafer edges

垂直度

90±0.3°

角度尺

Length

长度

200-700mm

直尺

Perpendicularity

端面垂直度

<1mm

角度尺、塞尺

Chipping 崩边

头、尾崩边各不超过 1.5mm,表面及倒角崩边不允许

直尺

Surface Quality

表面质量

方锭表面光洁、无沾污、无杂质、无色差、无黑斑、

无打磨斑、无长条状黑印、无水渍残留

目测

1、磨面平整度(弯曲度<0.1mm);

2、无明显划痕、磨痕、线痕(痕深 Ra<0.2um)

表面粗糙度测试仪

SJ210、刀口尺、塞尺

1、倒角光滑度与硅棒表面一致;

2、晶棒两端面塌边长≤1.5mm,不允许有圆弧与面交

接处无棱异常。

直尺、刀口尺、塞尺;

目测

3、 Package 包装

Outer package 外包装

1、包装需确保硅锭安全,能防止硅锭碰撞或滑动等造

成硅锭的损坏及表面异常;

2、应按硅锭长度选择适当的包装方式。

目测

Identification 标识

1、硅锭头部应标识有锭号;

2、每根棒有合格标签,上面标有锭号、长度和重量等

信息;

3、外箱要求有产品类型、供应商和锭号等标识。

目测

Remark 备注

1、有效长度:硅锭的实测长度减去包括但不限于崩边、线痕等其它影响切割成

品率长度后的长度。

2、最终参数以实际到硅锭评价单为准。

3、按照乙方模板提供来料清单。

4、因来料棒长原因导致的截断,刀缝损失由供方承担。

 

上一个:P型S单晶方棒
下一个:半导体单晶炉
Copyright 2022 拉斯维加斯游戏官方网址 版权所有技术支持:格网科技
XML 地图