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P型S单晶硅片
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适用范围Applicability

本标准规定了P型单晶硅片的电性能、外观尺寸、外观质量技术要求、标志、包装、存储等规定。

本标准适用于P型158.75mm×158.75mm、166mm×166mm、182mm×182mm及210mm×210mm太阳能级S

单晶硅片的检验。

术语Terms

硅片厚度:硅片中心点厚度为硅片的标称厚度。

总厚度变化(TTV:TotalThicknessVariation):硅片的厚度最大值与最小值之差,称作硅片的总厚度变化。

弯曲度:硅片中心面偏离基准平面的距离,该距离表示硅片的弯曲度。

崩边(硅落/硅脱):硅片边缘呈现的单面局部破损称为崩边,也称为硅落,硅脱。

缺口:硅片边缘呈现贯穿两面的局部破损称为缺口。

裂纹:硅片内部存在的细小的裂缝。

锯痕:硅片在切割过程中产生的切割痕迹,称为锯痕,又称为线痕。

沾污:硅片表面上肉眼裸视可见的各种外来异物的统称。

孔洞:贯穿硅片两面的无规则、大小不等的小孔。

翘曲:硅片表面扭曲的形变量与中心轴之间的差值(可以理解为局部正弦波波峰与波谷的距离)。

亮线:硅片表面锯痕深度小于15μm,肉眼可分辨其亮度明显高于正常硅片表面颜色的条状物或块状物。

划伤:硅片表面锯痕深度小于15μm,肉眼可分辨其亮度明显高于正常硅片表面颜色的片状物。

品名

金刚线切割硅片

P型S单晶硅片规格书

Electric&Chemical电性能及化学性能

项目

规格

检测方法或依据

Dopant掺杂剂

Gallium

ASTMF42

DislocationDensity

位错密度

≦500/cm2

金相显微镜

CarbonConcentration

碳含量

Max5.0E16atoms/cm3

FIRT(红外探测)

OxygenConcentration

氧含量

Max8.0E17atoms/cm3

FIRT(红外探测)

Resistivity

电阻率

0.4-1.1Ω.cm

硅检机

Conductivitytype

导电类型

P型

P/N测试仪

CrystalOrientation

晶向

100)±3°

X射线定向仪器

Lifetime(Bricklevel)

少子寿命

≧75us

Sinton少子寿命测试仪

Crystalimperfection

晶体缺陷

孔洞、应力、孪晶、黑心、同心圆、黑角等

不允许

硅片分选机/PL测试仪

LID光致衰減

≦1.5%

5KWH/㎡

GeometricalProperties规格类型

项目

G1

M6

M10

G12

测试方法

边长(mm)

158.75±0.25

166±0.25

182±0.25

210±0.25

硅检机

直径(mm)

223±0.25

223±0.25

247±0.25

295±0.25

硅检机

圆弧长度(mm)

1.5±0.5

12.0±0.5

10.62±0.5

2.0±0.5

硅检机

弦长投影(mm)

1.07±0.5

8.55±0.5

7.51±0.5

1.41±0.5

硅检机

倒角偏差(mm)

<0.4

<0.4

<0.4

<0.4

硅检机

垂直度(°)

90°±0.2

90°±0.2

90°±0.2

90°±0.2

硅检机

GeometricalProperties外观特性

项目

规格

测试方法

Thickness(T)

中心厚度

160+20/-10

Average>160

硅检机

TTV

总厚度变化

≤27um

硅检机

Bow&Warping

弯曲&翘曲度

≤40um

硅检机

Sawmarks

线痕

深度(单位:μm)硅检机

≤13

硅检机

硅晶脱落、缺口、孪晶、

裂纹、沾污、针孔

[surface

breakage

chips,edge

(indents),

crack,

twin

crystal,

crack,

stain,pinhole]

不允许

Nakedeyes

目测

硅检机

Indentation

崩边

长≤0.5mm,深

≤0.3mm,每片

不能超过2个,

无有V型崩边

Nakedeyes

目测

硅检机

Surfacequality

表面质量

Cleaned,

greasestains

表面洁净,没有

油污

Nakedeyes

目测

硅检机

Package

包装

600pcs/package

600片/盒

每100片用硫酸纸及隔板隔开

Labels

标识

Neutralor

Customer

requirements

中性或客户指定

 
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