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P型S单晶方棒
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品名

S 单晶方棒规格书

Properties 內容

Parameters 参数

Inspection Method

测试方法

Electric & Chemical 电性能及化学性能

Dopant

掺杂剂

Gallium

ASTM F42

Dislocation Density

位错密度

≦500/cm2

金相显微镜

Carbon Concentration

碳含量

Max 5.0E16 atoms/cm3

FIRT(红外探测)

Oxygen Concentration

氧含量

Max 8.0E17 atoms/cm3

FIRT(红外探测)

Resistivity

电阻率

0.4- 1.1 ? .cm

四探针电阻率测试仪

Conductivity type

导电类型

P 型

P/N 型测试仪

Crystal Orientation

晶向

(100)±3°

ASTM F26

Crystal imperfection

晶体缺陷

孔洞、应力、孪晶、黑心、同心圆、黑角等不允许

硅片分选机/PL 测试仪

Life time

少子寿命

≧75μs

Sinton BCT-400

Geometry & Surface 尺寸和外观

项目

G1

M6

M10

G12

游标卡尺

Length of wafer

硅片边长(mm)

158.75±0.25

166±0.25

182±0.25

210±0.25

游标卡尺

Diameter

直径(mm)

223±0.25

223±0.25

223±0.25

247±0.25

295±0.25

游标卡尺

Arc length

圆弧长度(mm)

1.5±0.5

12.0±0.5

10.6±0.5

2.0±0.5

角度尺

Chord length projection

弦长投影(mm)

1.07±0.5

8.55±0.5

7.51±0.45

1.41±0.5

游标卡尺

Chamfer difference

倒角差(mm)

≤0.4

游标卡尺

 

Shape wafer edges

垂直度(mm)

90±0.2°

角度尺

Length

长度(mm)

200-845

直尺

Perpendicularity

端面垂直度

<1mm

角度尺、塞尺

Chipping

崩边

头、尾崩边各不超过 1.5mm,表面及倒角崩边不允许

直尺

Surface Quality

表面质量

方锭表面光洁、无沾污、无杂质、无色差、无黑斑、无打磨

斑、无长条状黑印、无水渍残留

目测

1、磨面平整度(弯曲度<0.1mm);

2、无明显划痕、磨痕、线痕(痕深 Ra<0.2um)

表面粗糙度测试仪

SJ210、刀口尺、塞尺、

目测

1、倒角光滑度与硅棒表面一致;

2、晶棒两端面塌边长≤1.5mm,不允许有圆弧与面交接处无棱

异常。

直尺、刀口尺、塞尺;

目测

Package 包装

Outer package

外包装

1、包装需确保硅锭安全,能防止硅锭碰撞或滑动等造成硅锭

的损坏及表面异常;

2、应按硅锭长度选择适当的包装方式。

目测

Identification

标识

1、硅锭头部应标识有锭号;

2、每根棒有合格标签,上面标有锭号、长度和重量等信息;

3、外箱要求有产品类型、供应商和锭号等标识。

目测

Remark

备注

1、有效长度:硅锭的实测长度减去包括但不限于崩边、线痕等其它影响切割成品率长

度后的长度。

2、最终参数以实际到硅锭评价单为准。

3、按照乙方模板提供来料清单。

4、因来料棒长原因导致的截断,刀缝损失由供方承担。

 

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